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BS270
1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
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- 描述
- 此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500 mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BS270
- 商品编号
- C896686
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体（onsemi）专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 400mA、60V。在VGS = 10V时,RDS(ON) = 2Ω。
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关。
- 坚固可靠。
- 高饱和电流能力。
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用