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FCH104N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:37A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH104N60
- 商品编号
- C898122
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用等。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 96 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 63 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 280 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源