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FDH45N50F-F133
N沟道MOSFET，500 V，45 A，120 mΩ
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- 描述
- UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强。其 trr 小于 100 nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通平面 MOSFET 分别超过 200 nsec 和 4.5V/ns。因此，在某些对 MOSFET 体二极管性能要求较高的应用中，它可以去除额外的组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH45N50F-F133
- 商品编号
- C898143
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品特性
- RDS(导通) = 105 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 22.5 A
- 低栅极电荷(典型值105 nC)
- 低Crss(典型值62 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源