FDH45N50F-F133

N沟道MOSFET，500 V，45 A，120 mΩ

描述

UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强。其 trr 小于 100 nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通平面 MOSFET 分别超过 200 nsec 和 4.5V/ns。因此，在某些对 MOSFET 体二极管性能要求较高的应用中，它可以去除额外的组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

品牌名称

onsemi(安森美)

商品型号

FDH45N50F-F133

商品编号

C898143

商品封装

TO-247-3​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)