FQA90N15-F109
1个N沟道 耐压:150V 电流:90A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA90N15-F109
- 商品编号
- C898227
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 285nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于PFC、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源等开关电源应用。SuperFET II FREFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- Typ. RDS(on) = 36 mΩ
- 700 V，TJ = 150℃
- 超低栅极电荷（Typ. Qg = 229 nC）
- 低有效输出电容（Typ. Co(er) = 631 pF）
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-交直流电源-液晶/发光二极管/等离子电视-太阳能逆变器-电信/服务器电源