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FQA90N15-F109实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQA90N15-F109

1个N沟道 耐压:150V 电流:90A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQA90N15-F109
商品编号
C898227
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)285nC@10V
输入电容(Ciss)8.7nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用,如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 45 A 时,RDS(on) = 18 m Ω(最大值)
  • 低栅极电荷(典型值 220 nC)
  • 低Crss(典型值 200 pF)
  • 100%经过雪崩测试
  • 最高结温额定值为 175℃

应用领域

-音频放大器-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制-不间断电源

数据手册PDF