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NVHL050N65S3HF
1个N沟道 耐压:650V 电流:58A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL050N65S3HF
- 商品编号
- C898292
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 403W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可减少额外元件的使用，提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 41 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 119 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 1051 pF)
- 100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 汽车混合动力电动汽车(HEV)-纯电动汽车(EV)车载充电器
- 汽车混合动力电动汽车(HEV)-纯电动汽车(EV)DC/DC转换器