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FCP125N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP125N65S3
- 商品编号
- C898511
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 439pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货69-71个工作日购买数量
(800个/管，最小起订量 800 个)个
起订量：800 个800个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单