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FDB024N08BL7
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB024N08BL7
- 商品编号
- C898538
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 246W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是新一代高压超级结（SJ）MOSFET系列产品，利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术专门用于最小化导通损耗，并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。同样，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET EasyDrive系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号以“E”为前缀，有助于解决EMI问题，且设计部署更简单。若需更快的开关速度，并用于开关损耗必须尽可能低的应用中，可考虑使用SuperFET II MOSFET系列。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A条件下,RDS(on) = 1.7 mΩ(典型值)
- 低品质因数RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷,Qrr = 112 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 符合JEDEC标准JESD22 - A113F和IPC/JEDEC J - STD - 020D.1
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源