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FDB20N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB20N50F
- 商品编号
- C898552
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 特性：
商品特性
- RDS(on) = 220 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 10 A
- 低栅极电荷(典型值50 nC)
- 低Crss(典型值27 pF)
- 100%雪崩测试
- 提高dv/dt能力
- 符合RoHS标准
- 符合JEDEC标准JESD22 - A113F和IPC/JEDEC J - STD - 020D.1
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源-交流-直流电源