FDB86569-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86569-F085
- 商品编号
- C898570
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 4.4 mΩ
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(tot) = 35 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12 V 系统主开关