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FQB12P20TM
1个P沟道 耐压:200V 电流:11.5A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB12P20TM
- 商品编号
- C898636
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W；120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进POWERTRENCH工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 11.5 A,-200 V,VGS = -10V时,RDS(on) = 0.47Ω
- 低栅极电荷(典型值31nC)
- 低Crss(典型值30 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动器和不间断电源
- 微型太阳能逆变器