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FQPF5P20RDTU
1个P沟道 耐压:200V 电流:3.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF5P20RDTU
- 商品编号
- C898652
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色的耐用性和开关性能的同时，最大程度降低导通电阻，适用于工业应用。
商品特性
- -3.4 A,-200 V,RDS(on) = 1.4 Ω(最大值)@ VGS = -10 V,ID = -1.7 A
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值12 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用