- 引脚图
- 焊盘图
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HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS
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- 描述
- HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGT1S10N120BNS
- 商品编号
- C898676
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 320uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 800uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |