温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75545S3ST
1个N沟道 耐压:80V 电流:75A
- 描述
- N 沟道，UltraFET Power MOSFET，80V，75A，10mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75545S3ST
- 商品编号
- C898689
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.010 Ω,vGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量额定曲线
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器