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NTBG020N090SC1
1个N沟道 耐压:900V 电流:9.8A 电流:112A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG020N090SC1
- 商品编号
- C898800
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A；112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；477W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 典型值:当 VGS = 15 V 时,RDS(on) = 20 m Ω
- 典型值:当 VGS = 18 V 时,RDS(on) = 16 m Ω
- 超低栅极电荷(QG(tot) = 200 nC)
- 低有效输出电容(Coss = 295 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 直流-直流转换器
- 升压逆变器