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NTBG020N090SC1

1个N沟道 耐压:900V 电流:9.8A 电流:112A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBG020N090SC1
商品编号
C898800
商品封装
D2PAK-7​
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)9.8A;112A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@18V,60A
耗散功率(Pd)3.7W;477W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.415nF@450V
反向传输电容(Crss)25pF@450V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 典型值:当栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A时,导通状态下的漏源电阻RDS(on) = 1 mΩ
  • 典型值:当栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A时,总栅极电荷Q_g(tot) = 164 nC
  • 非钳位感性负载开关能力
  • 符合RoHS标准
  • 符合AEC Q101标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子转向
  • 集成启动发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块
  • 12V系统的主开关

数据手册PDF