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NTBG160N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:19.5A
- 描述
- 特性：典型RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 33.8 nC）。 低有效输出电容（典型Coss = 50.7 pF）。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。 该器件无卤，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：UPS。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG160N120SC1
- 商品编号
- C898804
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 678pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 224mΩ |
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