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RFP12N10L
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- 此类器件是 N 沟道增强型硅门极电场效应晶体管，专门用于可编程控制器、汽车开关和电磁驱动器等应用中的逻辑电平 (5V) 驱动电源。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电路电源电压中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09526。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP12N10L
- 商品编号
- C898822
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 650 V，TJ = 150°C
- 典型RDS(导通) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 75 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(有效) = 165 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源