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FCPF067N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:44A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF067N65S3
- 商品编号
- C899119
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.09nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 59 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 78 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 715 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器