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FCPF16N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF16N60
- 商品编号
- C899125
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深沟槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，这使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 220 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 55 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 110 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源