FCPF36N60NT
1个N沟道 耐压:600V 电流:36A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF36N60NT
- 商品编号
- C899135
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.785nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化并提高效率。
商品特性
- RDS(on) = 81 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 18 A
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 86 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 361 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-太阳能逆变器-AC-DC电源