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FCPF36N60NT实物图
  • FCPF36N60NT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCPF36N60NT

1个N沟道 耐压:600V 电流:36A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCPF36N60NT
商品编号
C899135
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)112nC@10V
输入电容(Ciss)4.785nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SupremeMOS MOSFET采用下一代高压超级结(SJ)技术,运用与传统SJ MOSFET产品不同的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制实现了最低的Rsp导通电阻规格、卓越的开关性能和耐用性。SupremeMOS MOSFET产品非常适合高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

商品特性

  • RDS(on) = 81 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 18 A
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 86 nC)
  • 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 361 pF)
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-太阳能逆变器-AC-DC电源

数据手册PDF