我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FCPF36N60NT实物图
  • FCPF36N60NT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCPF36N60NT

1个N沟道 耐压:600V 电流:36A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCPF36N60NT
商品编号
C899135
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V,18A
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)112nC@10V
输入电容(Ciss)4.785nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

SuperFET II MOSFET是第一代高压超结(SJ)MOSFET系列产品,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET适用于各种AC/DC电源转换,有助于实现系统小型化并提高效率。

商品特性

  • 650 V @ T_J = 150°C
  • 最大RDS(on) = 199 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值Q_g = 57 nC)
  • 低有效输出电容(典型值C_oss.eff = 160 pF)
  • 经过100%雪崩测试

应用领域

  • LCD / LED / PDP电视照明
  • 太阳能逆变器
  • AC-DC电源

数据手册PDF