FDPF18N20FT-G
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF18N20FT-G
- 商品编号
- C899162
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET II MOSFET是基于先进的平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 129 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 9 A
- 低栅极电荷(典型值20 nC)
- 低Crss(典型值24 pF)
- 100%雪崩测试
- 提高dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源