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FQP2P40-F080实物图
  • FQP2P40-F080商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP2P40-F080

FQP2P40-F080

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQP2P40-F080
商品编号
C899373
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)63W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品概述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

商品特性

  • 2.0 A,-400 V,VGS = -10 V时,RDS(on) = 6.5 Ω(最大值)
  • 低栅极电荷(典型值10 nC)
  • 低Crss(典型值6.5 pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用

数据手册PDF