FQPF33N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF33N10
- 商品编号
- C899391
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 4.0 A、900 V，VGS = 10 V、ID = 2.0 A时，RDS（on） = 4.2 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值17 nC）
- 低Crss（典型值5.6 pF）
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器