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NTMFD5875NLT1G

1个N沟道耐压:60V 电流:22A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFD5875NLT1G
商品编号: C900249
商品封装: DFN-8(4.9x5.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET™ MOSFET具有更出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec，反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而普通平面MOSFET的trr和反向dv/dt抗扰度分别超过200nsec和4.5V/nsec。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可省去额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

商品特性

低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
低电容,以最小化驱动损耗
这些器件无铅、无卤,且符合RoHS标准

应用领域

LCD/LED电视
照明
不间断电源
交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	22A
	导通电阻(RDS(on))	27mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	32W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	5.9nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	540pF
	反向传输电容(Crss)	36pF
	工作温度	-55℃~+175℃