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NTMFD5C466NLT1G
2个N沟道 耐压:40V 电流:52A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD5C466NLT1G
- 商品编号
- C900252
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5 | |
| 输入电容(Ciss) | 997pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司的专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门优化，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 6.26 A、600 V，VGS = 10 V、ID = 3.13 A时，RDS(on) = 1.5 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值28 nC）
- 低Crss（典型值12 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器
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