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NTMFS0D8N02P1ET1G
1个N沟道 耐压:25V 电流:365A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- 商品编号
- C900264
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 365A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源负载开关
- 笔记本电池管理
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