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NTMFS5C406NLT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:362A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C406NLT1G
- 商品编号
- C900302
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 362A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低 QG 和电容,可将驱动损耗降至最低
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关电源转换器应用
- 功率因数校正（PFC）
- 平板显示（FPD）电视电源
- ATX电源
- 电子灯镇流器
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