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NTMFS6H848NLT1G

1个N沟道耐压:80V 电流:59A

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFS6H848NLT1G
商品编号: C900319
商品封装: DFN-5(5.9x4.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.185克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间（trr）小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。

商品特性

栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 6A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 420mΩ（典型值）
低栅极电荷（典型值30nC）
低反向传输电容（Crss）（典型值14.5pF）
经过100%雪崩测试
改善的dv/dt能力
符合RoHS标准

应用领域

-液晶/发光二极管/等离子电视-照明-不间断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	59A
	导通电阻(RDS(on))	7.2mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	73W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	25nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.42nF@40V
	反向传输电容(Crss)	11pF@40V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)