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NTTFS3A08PZTAG
1个P沟道 耐压:20V 电流:15A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS3A08PZTAG
- 商品编号
- C900342
- 商品封装
- WDFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡及其他电池供电电路中的低电压应用，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现快速开关和低在线功率损耗。
商品特性
- 超低导通电阻 RDS(on),以最小化传导损耗
- \mu8FL 封装,尺寸为 3.3 x 3.3 x 0.8 mm,节省空间且导热性能出色
- 符合 JESD22 - A114 标准,静电放电(ESD)保护级别达 5 kV
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),并符合 RoHS 标准
应用领域
- 电池开关
- 高端负载开关
- 专为便携式产品(如媒体平板电脑、超极本和手机)的电源管理应用优化
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