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NVMFD020N06CT1G
2个N沟道 耐压:60V 电流:27A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD020N06CT1G
- 商品编号
- C900370
- 商品封装
- SO-8FL-EP-4.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- NVMFWD020N06C — 具备可焊侧翼选项,便于进行光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
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