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NVMFD5C470NWFT1G
2个N沟道 耐压:40V 电流:36A
- 描述
- 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD5C470NWFT1G
- 商品编号
- C900391
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.75mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的MOSFET工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 16 A时，最大rDS(on) = 5.2 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.1 mΩ
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动
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