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NVMFD5C650NLWFT1G
2个N沟道 耐压:60V 电流:111A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 可湿侧翼选项，增强光学检测。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD5C650NLWFT1G
- 商品编号
- C900394
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 111A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V；5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.546nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.258nF |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 高端开关
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