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NVMFS015N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:47.1A
- 描述
- 特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 有可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS015N10MCLT1G
- 商品编号
- C900404
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.338nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- NVMFS5A140PLZWF：可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 无铅产品，符合RoHS标准
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