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NVMFS5A160PLZWFT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 具有可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5A160PLZWFT1G
- 商品编号
- C900419
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.533333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
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