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NVMFS5C466NWFT1G

1个N沟道耐压:40V 电流:49A

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVMFS5C466NWFT1G
商品编号: C900439
商品封装: DFN-5(5.9x4.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.185克(g)

商品参数

商品概述

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的情况下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力。这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX电源和工业电源）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。

商品特性

小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
低 RDS(on),以最小化传导损耗
低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
NVMFS5C466NWF - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
通过 AEC - Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准

应用领域

-适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频-工业电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	49A
	导通电阻(RDS(on))	6.7mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	37W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	625pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+175℃