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NVMFS5A140PLZT1G
1个P沟道 耐压:40V 电流:140A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 可选择可焊侧翼选项，以增强光学检测。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5A140PLZT1G
- 商品编号
- C900417
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 小尺寸封装(5 x 6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- NVMFS5A140PLZWF:可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 无铅产品,符合RoHS标准
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