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NVMFS4C05NWFT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:127A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS4C05NWFT1G
- 商品编号
- C900412
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.972nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 当栅源电压VGS = 10 V，漏极电流 ID = 23 时，最大导通状态下的漏源电阻RDS(on) = 5.9 mΩ
- 当栅源电压VGS = 6 V，漏极电流 ID = 12 时，最大导通状态下的漏源电阻RDS(on) = 9 mΩ
- 用于极低导通状态下的漏源电阻RDS(on)的高性能技术
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流降压转换器
- 负载点
- 高效负载开关和低端开关
- 或门FET
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