温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS4C05NWFT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:127A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS4C05NWFT1G
- 商品编号
- C900412
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.972nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- NVMFS4C05NWF - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
- 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流降压转换器
- 负载点
- 高效负载开关和低端开关
- 或门FET
相似推荐
其他推荐
- NVMFS4C302NT1G
- NVMFS4C302NWFT1G
- NVMFS4C310NWFT1G
- NVMFS5826NLT1G
- NVMFS5A140PLZT1G
- NVMFS5A140PLZWFT1G
- NVMFS5A160PLZWFT1G
- NVMFS5C406NLT1G
- NVMFS5C406NLWFT1G
- NVMFS5C406NWFT1G
- NVMFS5C410NLWFAFT1G
- NVMFS5C410NWFAFT1G
- NVMFS5C426NLT1G
- NVMFS5C426NLWFT1G
- NVMFS5C430NLWFAFT1G
- NVMFS5C430NWFAFT1G
- NVMFS5C442NLWFAFT1G
- NVMFS5C442NWFAFT1G
- NVMFS5C450NAFT1G
- NVMFS5C450NLWFAFT1G
- NVMFS5C450NWFAFT1G