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NVMFS4C302NWFT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:241A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS4C302NWFT1G
- 商品编号
- C900414
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 241A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- NVMFS4C302NWF - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
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