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NVMFS3D6N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:132A
- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻 RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷 QG 和电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS3D6N10MCLT1G
- 商品编号
- C900408
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 132A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.411nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- NVMFWS016N06C - 可焊侧翼选项，便于增强光学检测
- 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电池管理系统(BMS)/储能、智能家居
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