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NVMFD6H846NLWFT1G
2个N沟道 耐压:80V 电流:31A
- 描述
- 特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 可选择可焊侧翼选项，以增强光学检测。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD6H846NLWFT1G
- 商品编号
- C900401
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的MOSFET工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时，最大rDS(on) = 2.75 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 4.3 mΩ
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- DC-DC和AC-DC中的同步整流器
- 电机驱动
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