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NVMFD6H852NLT1G
2个N沟道 耐压:80V 电流:25A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 可写边缘选项，用于增强光学检查。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD6H852NLT1G
- 商品编号
- C900402
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.308克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.5mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 521pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
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