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NVMFD6H846NLT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:31A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD6H846NLT1G
- 商品编号
- C900400
- 商品封装
- PowerTDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的MOSFET工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- NVMFD6H846NLWF – 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- DC-DC和AC-DC中的同步整流器
- 电机驱动
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