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NVMFD030N06CT1G实物图
  • NVMFD030N06CT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFD030N06CT1G

2个N沟道 耐压:60V 电流:19A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFD030N06CT1G
商品编号
C900372
商品封装
SO-8FL-EP-4.9mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))24.7mΩ@10V,3A
耗散功率(Pd)23W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)4.7nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)4.4pF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货79-81个工作日

购买数量

(1500个/圆盘,最小起订量 3000 个)
起订量:3000 个1500个/圆盘

总价金额:

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