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NTTFS4C06NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:67A
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。 电源负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS4C06NTAG
- 商品编号
- C900350
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.366nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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