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NTTFS6H854NLTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:41A
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- 描述
- 特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS6H854NLTAG
- 商品编号
- C900364
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
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