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NTMFS6H864NLT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:22A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS6H864NLT1G
- 商品编号
- C900321
- 商品封装
- DFN5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 431pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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