温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS5C604NLT1G-UIL3
1个N沟道 耐压:60V 电流:287A 电流:40A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C604NLT1G-UIL3
- 商品编号
- C900307
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A；287A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低 RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低 QG 和电容,可将驱动损耗降至最低
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用
相似推荐
其他推荐
- NTMFS5C609NLT1G
- NTMFS5C628NT1G
- NTMFS5C646NT1G
- NTMFS5C670NT1G
- NTMFS5C673NT1G
- NTMFS5C677NLT1G
- NTMFS6H801NLT1G
- NTMFS6H818NLT1G
- NTMFS6H836NLT1G
- NTMFS6H848NLT1G
- NTMFS6H852NLT1G
- NTMFS6H864NLT1G
- NTTFS002N04CLTAG
- NTTFS002N04CTAG
- NTTFS003N04CTAG
- NTTFS004N04CTAG
- NTTFS005N04CTAG
- NTTFS008N04CTAG
- NTTFS015N04CTAG
- NTTFS016N06CTAG
- NTTFS020N06CTAG