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NTMFS6H836NLT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:77A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS6H836NLT1G
- 商品编号
- C900318
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.200039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小封装尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
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