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NTMFS1D15N03CGT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS1D15N03CGT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:245A

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描述
特性:先进封装(5x6mm),具有出色的热传导性能。 超低导通电阻(RDS(on)),可提高系统效率。 无铅且符合RoHS标准。应用:热插拔应用。 功率负载开关
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS1D15N03CGT1G
商品编号
C900266
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)245A
导通电阻(RDS(on))1.15mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)124W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)94nC@10V
输入电容(Ciss)7.3nF@15V
反向传输电容(Crss)99pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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