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NTMFS1D15N03CGT1G

1个N沟道耐压:30V 电流:245A

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描述: 特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性能。超低导通电阻（RDS(on)），可提高系统效率。无铅且符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFS1D15N03CGT1G
商品编号: C900266
商品封装: SO-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

商品概述

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和管壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力。这个全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX电源和工业电源）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。

商品特性

具备出色热传导性能的先进封装(5x6 mm)
超低RDS(ON)以提高系统效率
这些器件无铅且符合 RoHS 标准

应用领域

-热插拔应用-功率负载开关-电池管理与保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	245A
	导通电阻(RDS(on))	1.15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	124W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.3V
	栅极电荷量(Qg)	94nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.3nF
	反向传输电容(Crss)	99pF
	工作温度	-55℃~+175℃