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NTMFS5832NLT1G实物图
  • NTMFS5832NLT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS5832NLT1G

1个N沟道 耐压:40V 电流:111A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS5832NLT1G
商品编号
C900299
商品封装
DFN-5(5.9x4.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)111A
导通电阻(RDS(on))3.1mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)96W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)25nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.7nF@25V
反向传输电容(Crss)250pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(1500个/圆盘,最小起订量 20 个)
起订量:20 个1500个/圆盘

总价金额:

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