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NTMFS4841NHT1G实物图
  • NTMFS4841NHT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS4841NHT1G

1个N沟道 耐压:30V

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描述
特性:低导通电阻,以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。应用:CPU电源供应。 DC-DC转换器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS4841NHT1G
商品编号
C900271
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)41.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25.4nC@11.5V
输入电容(Ciss)1.436nF
反向传输电容(Crss)177pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)348pF

数据手册PDF

优惠活动

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(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1500个/圆盘

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